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　　一、LED簡史
 

　　70年前人們已經了解半導體材料可產生光線的基本知識，1962年，通用電氣公司的尼克•何倫亞克(NickHolonyakJr.)開發出第一種實際應用的可見光發光二極管。LED是英文light emitting diode(發光二極管)的縮寫，它的基本結構是一塊電致發光的半導體材料，置于一個有引線的架子上，然后四周用環氧樹脂密封，即固體封裝，所以能起到保護內部芯線的作用，所以LED的抗震性能好。
 

　　最初LED用作儀器儀表的指示光源，后來各種光色的LED在交通信號燈和大面積顯示屏中得到了廣泛應用，產生了很好的經濟效益和社會效益。以12英寸的紅色交通信號燈為例，在美國本來是采用長壽命、低光效的140瓦白熾燈作為光源，它產生2000流明的白光。經紅色濾光片后，光損失90%，只剩下200流明的紅光。而在新設計的燈中，Lumileds公司采用了18個紅色LED光源，包括電路損失在內，共耗電14瓦，即可產生同樣的光效。汽車信號燈也是LED光源應用的重要領域。
 

　　二、LED芯片原理
 

　　LED(Light Emitting Diode)，發光二極管，是一種固態的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極，使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它里面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個“P-N結”。當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。
 

LED芯片發光原理
 

led芯片內部結構圖
 

　　三、LED芯片的分類
 

　　1、MB芯片定義與特點
 

　　定義：Metal Bonding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的專利產品。
 

　　特點：
 

　　(1)采用高散熱系數的材料---Si作為襯底，散熱容易。
 

　　Thermal Conductivity;GaAs：46W/m-K;GaP：77W/m-K;Si：125～150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC：490W/m-K
 

　　(2)通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收。
 

　　(3)導電的Si襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4倍)，更適應于高驅動電流領域。
 

　　(4)底部金屬反射層，有利于光度的提升及散熱。
 

　　(5)尺寸可加大，應用于High power領域，eg:42mil MB。
 

　　2、GB芯片定義和特點
 

　　定義：Glue Bonding(粘著結合)芯片;該芯片屬于UEC的專利產品。
 

　　特點：
 

　　(1)透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底，其出光功率是傳統AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上，藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
 

　　(2)芯片四面發光，具有出色的Pattern圖。
 

　　(3)亮度方面，其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。
 

　　(4)雙電極結構，其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。
 

　　3、TS芯片定義和特點
 

　　定義：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬于HP的專利產品。
 

　　特點：
 

　　(1)芯片工藝制作復雜，遠高于AS LED。
 

　　(2)信賴性卓越。
 

　　(3)透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。
 

　　(4)應用廣泛。
 

　　4、AS芯片定義與特點
 

　　定義：Absorbable structure (吸收襯底)芯片;經過近四十年的發展努力，中國臺灣LED光電業界對于該類型芯片的研發、生產、銷售處于成熟的階段，各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水平，差距不大。
 

　　大陸芯片制造業起步較晚，其亮度及可靠度與中國臺灣業界還有一定的差距，在這里我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR， 709SOL-VR， 712SYM-VR，709SYM-VR等。
 

　　特點：
 

　　(1)四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對于常規芯片要亮。
 

　　(2)信賴性優良。
 

　　(3)應用廣泛。
 

　　四、LED芯片材料磊晶種類
 

　　1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
 

　　2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
 

　　3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
 

　　4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs
 

　　5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAs
 

　　6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs
 

　　五、LED芯片組成及發光
 

　　LED晶片的組成：主要有砷(AS)鋁(AL)鎵(Ga)銦(IN)磷(P)氮(N)鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成。
 

　　LED晶片的分類：
 

　　1、按發光亮度分：
 

　　A、一般亮度：R、H、G、Y、E等
 

　　B、高亮度：VG、VY、SR等
 

　　C、超高亮度：UG、UY、UR、UYS、URF、UE等
 

　　D、不可見光(紅外線)：R、SIR、VIR、HIR
 

　　E、紅外線接收管：PT
 

　　F、光電管：PD
 

　　2、按組成元素分：
 

　　A、二元晶片(磷、鎵)：H、G等
 

　　B、三元晶片(磷、鎵、砷)：SR、HR、UR等
 

　　C、四元晶片(磷、鋁、鎵、銦)：SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG