HAST測(cè)試系統(tǒng)高加速老化試驗(yàn)箱

PCB離子遷移，簡(jiǎn)稱CAF。離子遷移是指在印刷電路板等產(chǎn)品上，由于離子化金屬向相反電極移動(dòng)，在相對(duì)電極還原成原來(lái)的金屬并有析出的現(xiàn)象。此現(xiàn)象的發(fā)生是由于在電極間存在電場(chǎng)和絕緣間隙部存在水分的緣故。實(shí)際上多數(shù)由于電路板上雜質(zhì)影響而在正級(jí)一側(cè)析出的。離子遷移非常脆弱，在通電瞬間產(chǎn)生的電流會(huì)使離子遷移本身溶斷消失。

HAST測(cè)試系統(tǒng)高加速老化試驗(yàn)箱

離子遷移測(cè)試，用梳型電路板為試料，高溫高濕環(huán)境下，在梳型電極之間施加電壓信號(hào)進(jìn)行試驗(yàn)。電極間絕緣電阻的測(cè)試則是在每一個(gè)規(guī)定時(shí)間內(nèi)從高溫高濕槽中取出試料在室溫環(huán)境下進(jìn)行。大量絕緣電阻都是由人工測(cè)定，處理這些數(shù)據(jù)是既費(fèi)時(shí)效率又低的工作。為解決這些問(wèn)題，就需要在高溫高濕環(huán)境下一邊在電極間施加電壓應(yīng)力，一邊連續(xù)的自動(dòng)測(cè)試因離子遷移而在瞬間發(fā)生絕緣劣化和絕緣阻值變化。因此在高溫高濕狀態(tài)下連續(xù)測(cè)試絕緣電阻，則可以準(zhǔn)確獲得因離子遷移導(dǎo)致的絕緣劣化特性和發(fā)生故障的時(shí)間。還可以從電阻值的變化上知道試驗(yàn)開始初期階段以來(lái)的試料間所產(chǎn)生的差異、以及到發(fā)生故障時(shí)電阻值發(fā)生了紊亂等信息。

面對(duì)電子產(chǎn)品越來(lái)越小型輕量及高密度封裝，產(chǎn)生的離子遷移現(xiàn)象，這一聯(lián)動(dòng)搭配測(cè)試剛好可解決相關(guān)問(wèn)題。絕緣電阻劣化（離子遷移測(cè)試）系統(tǒng)搭配高溫高濕的HAST非飽和高壓加速老化試驗(yàn)箱，可高精度連續(xù)監(jiān)測(cè)，快捷方便的評(píng)估因離子遷移現(xiàn)象引起的壽命及絕緣電阻劣化相關(guān)問(wèn)題。

離子遷移測(cè)試，用梳型電路板為試料，高溫高濕環(huán)境下，在梳型電極之間施加電壓信號(hào)進(jìn)行試驗(yàn)。電極間絕緣電阻的測(cè)試則是在每一個(gè)規(guī)定時(shí)間內(nèi)從高溫高濕槽中取出試料在室溫環(huán)境下進(jìn)行。大量絕緣電阻都是由人工測(cè)定，處理這些數(shù)據(jù)是既費(fèi)時(shí)效率又低的工作。為解決這些問(wèn)題，就需要在高溫高濕環(huán)境下一邊在電極間施加電壓應(yīng)力，一邊連續(xù)的自動(dòng)測(cè)試因離子遷移而在瞬間發(fā)生絕緣劣化和絕緣阻值變化。因此在高溫高濕狀態(tài)下連續(xù)測(cè)試絕緣電阻，則可以準(zhǔn)確獲得因離子遷移導(dǎo)致的絕緣劣化特性和發(fā)生故障的時(shí)間。還可以從電阻值的變化上知道試驗(yàn)開始初期階段以來(lái)的試料間所產(chǎn)生的差異、以及到發(fā)生故障時(shí)電阻值發(fā)生了紊亂等信息。

面對(duì)電子產(chǎn)品越來(lái)越小型輕量及高密度封裝，產(chǎn)生的離子遷移現(xiàn)象，這一聯(lián)動(dòng)搭配測(cè)試剛好可解決相關(guān)問(wèn)題。絕緣電阻劣化（離子遷移測(cè)試）系統(tǒng)搭配高溫高濕的HAST非飽和高壓加速老化試驗(yàn)箱，可高精度連續(xù)監(jiān)測(cè)，快捷方便的評(píng)估因離子遷移現(xiàn)象引起的壽命及絕緣電阻劣化相關(guān)問(wèn)題。