碳化硅As-cut切割晶片生產(chǎn)廠家

恒邁瑞公司生產(chǎn)供應SiC碳化硅As-cut切割晶片，產(chǎn)品尺寸涵蓋4英寸至8英寸，可提供導電N型和半絕緣SI型碳化硅切割晶片。我們始終以優(yōu)惠的價格，優(yōu)質的服務，提供高品質的碳化硅切割晶片產(chǎn)品，除此外也供應高質量并且有競爭力的150毫米碳化硅晶棒供設備測試用，歡迎國內外客戶來電詢價，了解碳化硅襯底晶片的各項詳細參數(shù)。

SiC的硬度僅次于金剛石，可以作為砂輪等磨具的磨料，因此對其進行機械加工主要是利用金剛石砂輪磨削、研磨和拋光，其中金剛石砂輪磨削加工的效率高，是加工SiC的重要手段。但是SiC材料不僅具有高硬度的特點，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層，且產(chǎn)生較為嚴重的表面與亞表層損傷，影響加工精度。因此，深入研究SiC磨削機理與亞表面損傷對于提高SiC磨削加工效率和表面質量具有重要意義。
SiC從晶錠到晶圓的加工過程與其他半導體相同。SiC單晶錠一般在{0 0 0 1}籽晶上進行生長。晶錠一般為圓柱形，長度為20-30mm。通過x射線衍射可以確定晶錠的晶體取向，如<0 0 0 1>，<1 1 - 2 0>和<1 0 -1 0>。然后晶錠被切割成許多晶圓，最后進行研磨、拋光和清洗。